STMicroelectronics 2STF2360

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

160

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.4W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

130MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2STF23

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.4W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

130MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-60V

最大集电极电流

-3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 150mA, 3A

转换频率

130MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.6mm

长度

4.6mm

宽度

2.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅