STMicroelectronics 2STR2215
- 收藏
- 对比
2STR2215
2381-2STR2215
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

STMICROELECTRONICS 2STR2215Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -15 V, 500 mW, 2 A, 280
--最小包装量--
2STR2215详情
STMicroelectronics 2STR2215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Collector-Emitter Saturation Voltage
850mV
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2STR
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
850mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
15V
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
饱和电流
1A
高度
950μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2STR2215拓展信息

















哦! 它是空的。