STMicroelectronics 2STR2230

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-420mV

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

500mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1.5A

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2STR

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

170 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

950μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅