STMicroelectronics BCP56-16
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BCP56-16
2381-BCP56-16
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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BCP56 Series 80 V 1 A 1.6 W Surface Mount Low Power NPN Transistor - SOT-223
--最小包装量--
BCP56-16详情
STMicroelectronics BCP56-16重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
SOT-223-P008
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BCP56
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
功率耗散
1.6W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
转换频率
120MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.82mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCP56-16拓展信息















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