STMicroelectronics BD533

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BD533

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

12MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800mV

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 600mA, 6A

转换频率

12MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

0.8 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅