STMicroelectronics BUL1102EFP
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BUL1102EFP
2381-BUL1102EFP
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3 Full Pack
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STMICROELECTRONICS BUL1102EFP Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
--最小包装量--
BUL1102EFP详情
STMicroelectronics BUL1102EFP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
30W
端子位置
SINGLE
基本部件号
BUL1102
引脚数量
3
配置
SINGLE
功率耗散
70W
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
30W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
450V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
12 @ 2A 5V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 400mA, 2A
发射极基极电压 (VEBO)
12V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUL1102EFP拓展信息
















哦! 它是空的。