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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.143146
10
¥3.908628
100
¥3.687385
500
¥3.478666
1000
¥3.28176
STMicroelectronics BUXD87T4
- 收藏
- 对比
BUXD87T4
2381-BUXD87T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

TRANS NPN 450V 0.5A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BUXD87T4详情
STMicroelectronics BUXD87T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450V
Number of Elements
1
hFEMin
12
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
20W
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
20MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BUXD87
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE
功率耗散
20W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
1V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
12 @ 40mA 5V
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 20mA, 200mA
转换频率
20MHz
最大击穿电压
450V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
VCEsat-最大值
1 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BUXD87T4拓展信息















哦! 它是空的。