STMicroelectronics HD1750FX

生命周期状态

NRND (Last Updated: 7 months ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOWATT218FX

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

最大功率耗散

75W

额定电流

24A

基本部件号

HD1750

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

75W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

24A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

6.5 @ 12A 5V

最大集极截止电流

200μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

发射极基极电压 (VEBO)

10V

高度

26.7mm

长度

15.7mm

宽度

5.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅