STMicroelectronics MD2009DFP

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

700V

Number of Elements

1

hFEMin

5

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

40W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MD2009

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

功率耗散

40W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

700V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 5.5A 5V

最大集极截止电流

200μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.8V @ 1.4A, 5.5A

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅