STMicroelectronics MJD127T4
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MJD127T4
2381-MJD127T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
--最小包装量--
MJD127T4详情
STMicroelectronics MJD127T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
1.799996g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4V
Number of Elements
1
hFEMin
1000
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
20W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MJD127
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
20W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
8A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 4A 4V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
4V @ 80mA, 8A
最大击穿电压
100V
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大结点温度(Tj)
150°C
VCEsat-最大值
4 V
高度
2.63mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MJD127T4拓展信息















哦! 它是空的。