STMicroelectronics MJD3055T4

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

20W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10A

频率

2MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD305

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

20W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

2MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 4A 4V

最大集极截止电流

50μA

JEDEC-95代码

TO-252AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

8V @ 3.3A, 10A

转换频率

2MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

70V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

8 V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅