STMicroelectronics MJD45H11T4

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

20W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MJD45

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

40MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

1 V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅