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技术文档
型号
PD54003L-E
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-PD54003L-E
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
封装
8-PowerVDFN
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
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PD54003L-E详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics PD54003L-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
包装/外壳
引脚数
14
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
7V
最大功率耗散
19.5W
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
4A
频率
500MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PD54003
引脚数量
JESD-30代码
S-PQCC-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
50mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
25V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
栅极至源极电压(Vgs)
15V
增益
20dB
最大输出功率
3W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
7.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: STMicroelectronics PD54003L-E.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & PD54003L-E相似的参数规格。
Surface Mount
25 V
4 A
15 V
19.5 W
FET General Purpose Power
ENHANCEMENT MODE
NXP USA Inc.
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
23 A
20 V
ON Semiconductor
5 A
26.7 W
31 W
SC-74, SOT-457
20V
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公司资质
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型号:PD55003L-E
封装:8-PowerVDFN
品牌:STMicroelectronics
库存:2302
型号:PD54008L-E
库存:6
型号:PD55003-E
封装:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
库存:6000
型号:PD55008TR-E
封装:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
库存:1200
型号:PD20010-E
¥81.807842
型号:PD55008-E
库存:5000
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