STMicroelectronics SCT50N120
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SCT50N120
2381-SCT50N120
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
--最小包装量--
SCT50N120详情
STMicroelectronics SCT50N120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
制造商包装标识符
HiP247-8396756
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
65A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Power Dissipation (Max)
318W Tc
操作温度
-55°C~200°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
SCT50
通道数量
1
功率耗散
318W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
69m Ω @ 40A, 20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 400V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
122nC @ 20V
漏源电压 (Vdss)
1200V
Vgs(最大值)
+25V, -10V
连续放电电流(ID)
65A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
最大结点温度(Tj)
200°C
高度
24.45mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SCT50N120拓展信息
STMicroelectronics
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