STMicroelectronics STB28NM60ND

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

92 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

FDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

基本部件号

STB28N

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 11.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2090pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62.5nC @ 10V

上升时间

21.5ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

23A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

92A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅