STMicroelectronics STD1802T4-A
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STD1802T4-A
2381-STD1802T4-A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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TRANS NPN 60V 3A DPAK
--最小包装量--
STD1802T4-A详情
STMicroelectronics STD1802T4-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD18
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
15W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 150mA, 3A
转换频率
150MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD1802T4-A拓展信息















哦! 它是空的。