STMicroelectronics STD26P3LLH6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

40W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.5mOhm

终端形式

鸥翼

基本部件号

STD26P

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1450pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅