STMicroelectronics STD30NF06LT4

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

DPAK_P032P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

70W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

28mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

35A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD30N

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

70W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 5V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

1.7V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

2.5 V

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅