注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.420267
10
¥2.28327
100
¥2.154029
500
¥2.032102
1000
¥1.917078
STMicroelectronics STD888T4
- 收藏
- 对比
STD888T4
2381-STD888T4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

TRANS PNP 30V 5A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STD888T4详情
STMicroelectronics STD888T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Digi-Reel®
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
15W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD888
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
15W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
10μA ICBO
JEDEC-95代码
TO-252AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 500mA, 10A
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STD888T4拓展信息















哦! 它是空的。