注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.974434
10
¥3.74947
100
¥3.537235
500
¥3.337013
1000
¥3.148125
STMicroelectronics STF817A
- 收藏
- 对比
STF817A
2381-STF817A
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

TRANS PNP 80V 1.5A SOT89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STF817A详情
STMicroelectronics STF817A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
140
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
1.4W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-3A
频率
50MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STF817
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
50MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
50MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STF817A拓展信息














哦! 它是空的。