注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
STF817A
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-STF817A
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装
TO-243AA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS PNP 80V 1.5A SOT89
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STF817A详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics STF817A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
表面贴装
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
50MHz
Power Dissipation (Max)
1.4W
Number of Elements
1
hFEMin
140
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
-30V
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
-3A
频率
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STF817
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
1.5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 1A 2V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 100mA, 1A
转换频率
最大击穿电压
集电极基极电压(VCBO)
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: STMicroelectronics STF817A.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STF817A相似的参数规格。
Surface Mount
80 V
1.5 A
50 MHz
500 mV
1.4 W
ROHM Semiconductor
1 A
100 MHz
-
82
2 W
Diodes Incorporated
150 MHz
-500 mV
1 W
-80 V
25
100 V
-300 mV
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STF817A拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BD139
封装:TO-225AA, TO-126-3
品牌:STMicroelectronics
库存:204000
型号:TIP127
封装:TO-220-3
库存:1912750
型号:TIP122
库存:644480
型号:BU508AW
封装:TO-247-3
库存:12000
型号:BD140-16
库存:20000
型号:TIP147
¥13.266959
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