STG30M65F2D7
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STMicroelectronics STG30M65F2D7

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型号

STG30M65F2D7

utmel 编号

2381-STG30M65F2D7

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT die in D7 packing

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STG30M65F2D7 STMicroelectronics Trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT die in D7 packing

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STG30M65F2D7详情

STMicroelectronics STG30M65F2D7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • Manufacturer Part Number

    PDG34N0125D5DJ

  • Approvals

    CE, CSA, UL

  • Manufacturer

    Cutler Hammer, Div of Eaton Corp

  • Mounting

    Panel

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.55 V

  • 额定电流

    125 A

  • 最大集电极电流

    30 A

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics STG30M65F2D7.

STG30M65F2D7拓展信息

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