STMicroelectronics STGB18N40LZ-1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

420V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 10A, 5V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

附加功能

电压箝位

最大功率耗散

150W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STGB18

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Logic

功率 - 最大

150W

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

360V

最大集电极电流

30A

接通时间

4450 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 4.5V, 10A

关断时间-标准值（toff)

22200 ns

闸门收费

29nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

650ns/13.5μs

栅极-发射极电压-最大值

16V

RoHS状态

ROHS3 Compliant