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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.924572
10
¥15.966579
100
¥15.062808
500
¥14.210198
1000
¥13.405848
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
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- 对比
STGB20H65DFB2
2381-STGB20H65DFB2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
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TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGB20H65DFB2详情
STMicroelectronics STGB20H65DFB2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
D2PAK-3
厂商
STMicroelectronics
Product Status
活跃
Base Product Number
STGB20
Test Conditions
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Current-Collector (Ic) (Max)
40 A
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65
MSL
MSL 1 - Unlimited
Unit Weight
0.048678 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
RoHS
Details
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
系列
HB2
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
IGBTs
功率耗散
147
输入类型
Standard
功率 - 最大
147 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V, 20A
连续集电极电流
40
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
56 nC
集极脉冲电流(Icm)
60 A
Td(开/关)@25°C
16ns/78.8ns
开关能量
265μJ (on), 214μJ (off)
反向恢复时间(trr)
215 ns
产品类别
IGBT晶体管
STGB20H65DFB2拓展信息
STMicroelectronics
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