STMicroelectronics STGB20NB32LZ

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

375V

Number of Elements

1

Test Conditions

250V, 20A, 1k Ω, 4.5V

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

2V

最大功率耗散

150W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STGB20

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

150W

晶体管应用

汽车点火装置

上升时间

600ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

40A

接通时间

2900 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 4.5V, 20A

关断时间-标准值（toff)

15900 ns

闸门收费

51nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

2.3μs/11.5μs

开关能量

11.8mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

2V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant