STMicroelectronics STGB3NB60SDT4
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STGB3NB60SDT4
2381-STGB3NB60SDT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 6A 70W D2PAK
--最小包装量--
STGB3NB60SDT4详情
STMicroelectronics STGB3NB60SDT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 3A, 1k Ω, 15V
操作温度
175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
70W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
3A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGB3
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
70W
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
150ns
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
6A
反向恢复时间
1.7μs
连续放电电流(ID)
3A
接通时间
275 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.5V @ 15V, 3A
关断时间-标准值(toff)
4800 ns
闸门收费
18nC
集极脉冲电流(Icm)
25A
Td(开/关)@25°C
125ns/3.4μs
开关能量
1.15mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGB3NB60SDT4拓展信息
STMicroelectronics
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