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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥19.854992
10
¥18.731127
100
¥17.670874
500
¥16.670631
1000
¥15.727012
STMicroelectronics STGB50H65FB2
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- 对比
STGB50H65FB2
2381-STGB50H65FB2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin D2PAK T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGB50H65FB2详情
STMicroelectronics STGB50H65FB2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D²PAK (TO-263)
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
86 A
Base Product Number
STGB50
厂商
STMicroelectronics
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
RoHS
Details
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Reel
子类别
IGBTs
引脚数量
3
功率耗散
272
输入类型
Standard
功率 - 最大
272 W
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 50A
连续集电极电流
86
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
151 nC
集极脉冲电流(Icm)
150 A
Td(开/关)@25°C
28ns/115ns
开关能量
910µJ (on), 580µJ (off)
产品类别
IGBT晶体管
STGB50H65FB2拓展信息
STMicroelectronics
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