STMicroelectronics STGB7NB40LZT4
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STGB7NB40LZT4
2381-STGB7NB40LZT4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT Transistors N-Ch Clamped 14 Amp
1最小包装量--
STGB7NB40LZT4详情
STMicroelectronics STGB7NB40LZT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
430V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
1
Test Conditions
300V, 46 Ω, 5V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
电压箝位
最大功率耗散
100W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGB7
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
70W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
功率 - 最大
100W
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.9V
最大集电极电流
14A
接通时间
5400 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 5V, 14A
关断时间-标准值(toff)
8000 ns
闸门收费
22nC
Td(开/关)@25°C
900ns/4.4μs
栅极-发射极电压-最大值
12V
栅极-发射极Thr电压-最大值
2.2V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGB7NB40LZT4拓展信息
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