STMicroelectronics STGD3NB60SD-1
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STGD3NB60SD-1
2381-STGD3NB60SD-1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2 Tab) DPAK Tube
--最小包装量--
STGD3NB60SD-1详情
STMicroelectronics STGD3NB60SD-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
480V, 3A, 1k Ω, 15V
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
最大功率耗散
48W
基本部件号
STGD3
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
48W
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
6A
反向恢复时间
1.7 μs
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.5V @ 15V, 3A
闸门收费
18nC
集极脉冲电流(Icm)
25A
Td(开/关)@25°C
125μs/3.4μs
开关能量
1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
4.5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGD3NB60SD-1拓展信息
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