STGE200NB60S
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STMicroelectronics STGE200NB60S

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型号

STGE200NB60S

utmel 编号

2381-STGE200NB60S

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS STGE200NB60S IGBT Single Transistor, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 Pins

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STGE200NB60S
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STGE200NB60S详情

STMicroelectronics STGE200NB60S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Panel, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 质量

    28.349523g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.2V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    2.4 μs

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 系列

    PowerMESH™

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel (Ni)

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    600W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 额定电流

    150A

  • 基本部件号

    STGE200

  • 引脚数量

    4

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    600W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    64 ns

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 上升时间

    112ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    200A

  • 连续放电电流(ID)

    200A

  • 最大集极截止电流

    500μA

  • 输入电容

    1.56nF

  • 接通时间

    170 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.6V @ 15V, 100A

  • 关断时间-标准值(toff)

    4600 ns

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    1.56nF @ 25V

  • VCEsat-最大值

    1.6 V

  • 高度

    9.1mm

  • 长度

    38.2mm

  • 宽度

    25.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: STMicroelectronics STGE200NB60S.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STGE200NB60S相似的参数规格。

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