STMicroelectronics STGP10NC60K
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STGP10NC60K
2381-STGP10NC60K
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
--最小包装量--
STGP10NC60K详情
STMicroelectronics STGP10NC60K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 5A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超快
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
60W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
20A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGP10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
输入类型
Standard
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
20A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
23 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 5A
关断时间-标准值(toff)
242 ns
闸门收费
19nC
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
17ns/72ns
开关能量
55μJ (on), 85μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGP10NC60K拓展信息
STMicroelectronics
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