STMicroelectronics STGP12NB60KD
- 收藏
- 对比
STGP12NB60KD
2381-STGP12NB60KD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

IGBT 600V 30A 125W TO220
1最小包装量--
STGP12NB60KD详情
STMicroelectronics STGP12NB60KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.8V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 12A, 10 Ω, 15V
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
125W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
18A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STGP12
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
125W
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
30A
反向恢复时间
80ns
连续放电电流(ID)
18A
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
39.5 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V, 12A
关断时间-标准值(toff)
461 ns
闸门收费
54nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
Td(开/关)@25°C
25ns/96ns
开关能量
258μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGP12NB60KD拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。