STMicroelectronics STGP30H65DFB2

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220

厂商

STMicroelectronics

Package

Tube

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Test Conditions

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

Base Product Number

STGP30

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.65

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

系列

HB2

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

子类别

IGBTs

功率耗散

167

输入类型

Standard

功率 - 最大

167 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 30A

连续集电极电流

50

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

90 nC

集极脉冲电流（Icm）

90 A

Td（开/关）@25°C

18.4ns/71ns

开关能量

270μJ (on), 310μJ (off)

反向恢复时间(trr)

115 ns

产品类别

IGBT晶体管