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1

￥55.121879
10

￥52.001775
100

￥49.058279
500

￥46.281397
1000

￥43.661692

STMicroelectronics STGW100H65FB2-4

Name: STGW100H65FB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STGW100H65FB2-4
Price: 55.12 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STGW100H65FB2-4

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STGW100H65FB2-4

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 145A 4-Pin TO-247 Tube

起订量

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STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 145A 4-Pin TO-247 Tube

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STGW100H65FB2-4详情

技术参数

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STMicroelectronics STGW100H65FB2-4重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-4
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247-4
Package

Tape & Box (TB)
厂商

Reliance North America
Product Status

活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55
Maximum Gate Emitter Voltage

±20V
Package Type

TO247-4
Maximum Collector Emitter Voltage

650 V
Pd - Power Dissipation

441 W
Maximum Operating Temperature

+ 150 C
Unit Weight

0.156264 oz
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600
Continuous Collector Current at 25 C

145 A
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

STMicroelectronics
Brand

STMicroelectronics
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
Current-Collector (Ic) (Max)

145 A
Base Product Number

STGW100
Test Conditions

400V, 100A, 3.3Ohm, 15V
系列

*
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
子类别

IGBTs
技术

Si
引脚数量

4
配置

Single
功率耗散

441
输入类型

Standard
功率 - 最大

441 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
信道型

N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 100A
连续集电极电流

145
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

288 nC
集极脉冲电流（Icm）

300 A
Td（开/关）@25°C

23ns/141ns
开关能量

1.06mJ (on), 1.14mJ (off)
产品类别

IGBT晶体管

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