STMicroelectronics STGW30N120KD
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STGW30N120KD
2381-STGW30N120KD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 1200V 60A 220W TO247
--最小包装量--
STGW30N120KD详情
STMicroelectronics STGW30N120KD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
1
Test Conditions
960V, 20A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~125°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
220W
基本部件号
STGW30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
220W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
60A
反向恢复时间
84 ns
JEDEC-95代码
TO-247AC
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
接通时间
57 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.85V @ 15V, 20A
关断时间-标准值(toff)
756 ns
闸门收费
105nC
集极脉冲电流(Icm)
100A
Td(开/关)@25°C
36ns/251ns
开关能量
2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
25V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW30N120KD拓展信息
STMicroelectronics
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