STMicroelectronics STGW35NB60S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 20A, 100 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

200W

基本部件号

STGW35

引脚数量

3

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

70A

接通时间

153 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

3600 ns

闸门收费

83nC

集极脉冲电流（Icm）

250A

Td（开/关）@25°C

92ns/1.1μs

开关能量

840μJ (on), 7.4mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant