STMicroelectronics STGW35NC60WD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

260W

基本部件号

STGW35

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

250W

输入类型

Standard

功率 - 最大

260W

晶体管应用

电源控制

上升时间

12ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

40 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

42.5 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

197 ns

闸门收费

102nC

集极脉冲电流（Icm）

150A

Td（开/关）@25°C

29.5ns/118ns

开关能量

305μJ (on), 181μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant