STMicroelectronics STGW45NC60VD

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 30A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

178 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

270W

基本部件号

STGW45

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

270W

输入类型

Standard

接通延迟时间

33 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

90A

反向恢复时间

45ns

接通时间

46 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

366 ns

闸门收费

126nC

集极脉冲电流（Icm）

220A

Td（开/关）@25°C

33ns/178ns

开关能量

333μJ (on), 537μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅