STMicroelectronics STGW45NC60WD
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STGW45NC60WD
2381-STGW45NC60WD
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
--最小包装量--
STGW45NC60WD详情
STMicroelectronics STGW45NC60WD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
390V, 30A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
285W
基本部件号
STGW45
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
285W
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
90A
反向恢复时间
45 ns
JEDEC-95代码
TO-247AC
接通时间
46 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.6V @ 15V, 30A
关断时间-标准值(toff)
280 ns
闸门收费
126nC
集极脉冲电流(Icm)
230A
Td(开/关)@25°C
33ns/168ns
开关能量
302μJ (on), 349μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.75V
高度
21.09mm
长度
16.03mm
宽度
5.16mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGW45NC60WD拓展信息
STMicroelectronics
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