STMicroelectronics STGW50H65DFB2-4

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

供应商器件包装

TO-247-4

Base Product Number

STGW50

Test Conditions

400V, 50A, 12Ohm, 15V

Current-Collector (Ic) (Max)

86 A

Product Status

活跃

Package

Tube

厂商

STMicroelectronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

272 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.156264 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Continuous Collector Current at 25 C

86 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HB2

包装

Tube

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

272

输入类型

Standard

功率 - 最大

272 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 50A

连续集电极电流

86

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

151 nC

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

18ns/128ns

开关能量

629μJ (on), 478μJ (off)

反向恢复时间(trr)

92 ns

产品类别

IGBT晶体管