STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4

安装类型

Free Hanging (In-Line), Right Angle

包装/外壳

TO-247-4

越来越多的功能

-

外壳材料

铝合金

供应商器件包装

TO-247-4

Voltage, Rating

600VAC, 850VDC

Package

Bulk

Contact Finish Mating

Gold

Product Status

活跃

厂商

ITT Cannon, LLC

Base Product Number

KPT08

Primary Material

Metal

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Package Type

TO-247

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Pd - Power Dissipation

357 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.156264 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600

Continuous Collector Current at 25 C

115 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

STMicroelectronics

Brand

STMicroelectronics

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V

Current-Collector (Ic) (Max)

115 A

Test Conditions

400V, 75A, 10Ohm, 15V

系列

KPT

操作温度

-55°C ~ 125°C

包装

Tube

终端

焊杯

连接器类型

Plug, Female Sockets

定位的数量

61

颜色

橄榄色

紧固类型

卡口锁

子类别

IGBTs

额定电流

7.5A

技术

Si

方向

N (Normal)

屏蔽/屏蔽

-

入口保护

抗环境干扰

外壳完成

橄榄色镉

引脚数量

4

外壳尺寸-插入

24-61

配置

Single

功率耗散

357

外壳尺寸，MIL

-

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 75A

连续集电极电流

115

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

207 nC

集极脉冲电流（Icm）

225 A

Td（开/关）@25°C

22ns/121ns

开关能量

992µJ (on), 766µJ (off)

反向恢复时间(trr)

88 ns

特征

-

产品类别

IGBT晶体管

触点表面处理厚度 - 配套

50.0µin (1.27µm)