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1

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10

￥46.392369
100

￥43.76639
500

￥41.289044
1000

￥38.951931

STMicroelectronics STGWA100H65DFB2

Name: STGWA100H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2381-STGWA100H65DFB2
Price: 49.18 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

STGWA100H65DFB2

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-STGWA100H65DFB2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube

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STGWA100H65DFB2 STMicroelectronics Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 100A 3-Pin TO-247 Tube

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STGWA100H65DFB2详情

技术参数

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STMicroelectronics STGWA100H65DFB2重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247 Long Leads
Package

Bulk
Base Product Number

KJB0T
厂商

ITT Cannon, LLC
Product Status

活跃
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55
Maximum Gate Emitter Voltage

±20V
Package Type

TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage

650 V
Pd - Power Dissipation

441 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Unit Weight

0.215171 oz
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

600
Continuous Collector Current at 25 C

145 A
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

STMicroelectronics
Brand

STMicroelectronics
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
Current-Collector (Ic) (Max)

145 A
Test Conditions

400V, 100A, 2.2Ohm, 15V
系列

*
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
子类别

IGBTs
引脚数量

3
配置

Single
功率耗散

441
输入类型

Standard
功率 - 最大

441 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 100A
连续集电极电流

145
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

288 nC
集极脉冲电流（Icm）

300 A
Td（开/关）@25°C

30ns/130ns
开关能量

2.2mJ (on), 1.4mJ (off)
反向恢复时间(trr)

123 ns
产品类别

IGBT晶体管

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