注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥29.75871
10
¥28.074252
100
¥26.485142
500
¥24.985983
1000
¥23.571689
STMicroelectronics STGWA50H65DFB2
- 收藏
- 对比
STGWA50H65DFB2
2381-STGWA50H65DFB2
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
立即发货

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin TO-247 Tube
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWA50H65DFB2详情
STMicroelectronics STGWA50H65DFB2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 Long Leads
Lead Free Status / RoHS Status
--
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
86 A
Base Product Number
STGWA50
厂商
STMicroelectronics
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Pd - Power Dissipation
272 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
600
Continuous Collector Current at 25 C
86 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
STMicroelectronics
Brand
STMicroelectronics
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
UPG
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
--
子类别
IGBTs
技术
Si
额定电流
--
执行器类型
Lever
配置
Single
照明电压(标称)
--
功率耗散
272
极数
2
照明
--
输入类型
Standard
功率 - 最大
272 W
断路器类型
Magnetic (Hydraulic Delay)
产品类别
IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 50A
连续集电极电流
86
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
151 nC
集极脉冲电流(Icm)
150 A
Td(开/关)@25°C
28ns/115ns
开关能量
910µJ (on), 580µJ (off)
反向恢复时间(trr)
92 ns
产品类别
IGBT晶体管
STGWA50H65DFB2拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics






哦! 它是空的。