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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥45.676922
10
¥43.091434
100
¥40.6523
500
¥38.351224
1000
¥36.1804
STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG
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- 对比
STGWA80H65DFBAG
2381-STGWA80H65DFBAG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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AUTOMOTIVE-GRADE TRENCH GATE FIE
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGWA80H65DFBAG详情
STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 Long Leads
Package
Bulk
Base Product Number
120122
厂商
Molex
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
120 A
Test Conditions
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, 20 V
Pd - Power Dissipation
535 W
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Continuous Collector Current at 25 C
120 A
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
系列
*
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
技术
Si
输入类型
Standard
功率 - 最大
535 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V, 80A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
453 nC
集极脉冲电流(Icm)
240 A
Td(开/关)@25°C
-/360ns
开关能量
3.26mJ (on), 2.33mJ (off)
反向恢复时间(trr)
64 ns
STGWA80H65DFBAG拓展信息
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