STMicroelectronics STGWS38IH130D

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.3kV

Number of Elements

1

Test Conditions

960V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PowerMESH™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

180W

基本部件号

STGW38

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

180W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.3kV

最大集电极电流

55A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1300V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

740 ns

闸门收费

127nC

集极脉冲电流（Icm）

125A

Td（开/关）@25°C

-/284ns

开关能量

3.4mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.75V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant