STMicroelectronics STH245N75F3-6

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STH245

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 90A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

180A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.003Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

720A

DS 击穿电压-最小值

75V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

8.9mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant