STMicroelectronics STI13NM60N

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

30 ns

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

360MOhm

基本部件号

STI13N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

高度

10.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅