STMicroelectronics STI16N65M5

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

90W Tc

Turn Off Delay Time

6 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ V

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

基本部件号

STI16N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

279m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.279Ohm

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant