STMicroelectronics STI20N65M5

工厂交货时间

17 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Number of Elements

1

系列

MDmesh™ V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STI20N

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

130W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1434pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

7.5ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

7.5 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅