STMicroelectronics STI26NM60N

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

85 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

STI26N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

165m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏极-源极导通最大电阻

0.165Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

610 mJ

高度

10.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant